4月26日，“北京市科学技术奖励大会暨2017年全国科技创新中心建设工作会议”在京召开。中国科学院微电子研究所牵头组织完成的“22纳米集成电路核心工艺技术及应用”项目荣获“2016年度北京市科学技术奖一等奖”；牵头组织完成的“高密度三维系统级封装的关键技术研究”项目获得“2016年度北京市科学技术奖二等奖”。

　　会上，中共中央政治局委员、北京市委书记郭金龙为微电子所成果完成人叶甜春颁发荣誉证书。叶甜春作为获奖代表发言。他代表全体获奖人员感谢北京市以及关心支持科技工作的社会各界的长期支持，表示将加倍努力、刻苦钻研、锲而不舍、追求卓越，勇于挑战科学难题，力争取得更多的创新成果，为国家“创新驱动发展”战略实施、为北京市全国科技创新中心建设做出新贡献。

　　此次获奖的两项成果均为国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备与成套工艺”（02专项）支持取得的重点成果。“22纳米集成电路核心工艺技术及应用”项目由微电子所、北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司、清华大学等单位共同完成。该项目在集成电路关键工艺技术上取得突破，将我国集成电路前沿工艺技术研发水平推进5代，进入14纳米，提出了“专利导向下的研发战略”，获得了数百件发明专利，实现了向大型制造企业的许可转让并进入产业化开发阶段，是我国在纳米级极大规模集成电路新技术代第一次将系统性的自主知识产权应用于技术升级，标志着我国在集成电路这一高度全球化的高科技竞争领域前沿开始拥有自己的地位和话语权，将成为我国集成电路领域自主创新战略的新起点。

　　“高密度三维系统级封装的关键技术研究”项目由微电子所、清华大学、北京大学、复旦大学、中科院深圳先进技术研究院、中南大学共同完成。该项目在功能材料、基板工艺、高密度封装等方面形成了多项成果，获得多套与业界主流软件相接口的模块，开发出两套TSV三维封装成套工艺，建立了系统级封装研发平台，解决了现有基板工艺的兼容性问题，开发出用于便携式移动终端的三维系统级封装演示样机，实现了高端高密度CPU芯片封装的国产化，探索出多种产学研合作新模式，有力推动了集成电路封装产业的技术进步。

　　北京市科学技术奖设立于2002年4月，旨在奖励科技界的优秀人士与团体。十多年来，众多获奖成果为北京建设全国科技创新中心、打造经济发展新高地提供了有力支撑。