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高能所多项科研成果获北京市科学技术奖
  文章来源:高能物理研究所 发布时间:2011-05-03 【字号: 小  中  大   

4月28日上午,北京市委、市政府召开北京市科学技术奖励大会暨2010年北京市科技工作会议。中共中央政治局委员、中共北京市委书记刘淇,北京市委副书记、市长郭金龙等市委、市政府、科技部等领导出席大会并为获奖代表颁奖。

2009年北京市科学技术奖共授予283项科研成果,其中,北京市科学技术奖一等奖29项;北京市科学技术奖二等奖60项;北京市科学技术奖三等奖194项。

中科院高能物理研究所“同步辐射高温高压实验平台的建设及应用”获二等奖;“500MHz超导高功率输入耦合器”获三等奖;“直接醇燃料电池纳米催化剂的设计、制造及表征科学”获一等奖(第二完成单位)。

同步辐射高温高压实验平台是目前国内唯一的利用同步辐射在DAC中进行高温高压实验研究的装置,它的建设改变了国内同步辐射高压实验技术长期落后的面貌。平台面向用户开放至今已稳定运行5年,接待21个单位的28个用户课题,提供机时6500多小时,参加实验人员150余名。在实验平台上获得的实验结果已发表文章100余篇,其中SCI收录73篇。

500MHz超导高功率输入耦合器是对撞机超导高频系统中的核心部件之一,它承担着功率馈送、真空隔离等多重功能,其研制技术综合性很强,涉及到微波功率传输、低温学、机械工程学、真空学、材料科学等。该耦合器通过了270kW连续波高频功率,这一功率水平代表了目前国内该领域的最高水平,在国际上也处于先进行列。该成果可直接应用到BEPCII储存环超导腔上,为BEPCII的稳定运行增加了保障;其技术可应用于国内几家加速器实验室高功率输入耦合器的研制中,如上海同步辐射光源、中国散裂中子源以及台湾同步辐射光源等,同时也可推广应用于国际上正在预研的能量回收加速器(ERL)、国际直线对撞机(ILC)等未来大型、新型加速器的超导腔高功率输入耦合器上。

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