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“室温工作的高In组分短波InGaAs线列探测器材料与器件研究”项目通过结题验收
  文章来源:长春光学精密机械与物理研究所 发布时间:2011-05-31 【字号: 小  中  大   

结题验收会现场

5月30日,国家自然科学基金委员会工程与材料科学部组织专家在长春对由中科院长春光学精密机械与物理研究所宋航研究员主持的重点项目“室温工作的高In组分短波InGaAs线列探测器材料与器件研究”进行了结题验收。专家组由来自我国材料科学界知名专家组成,基金委领导和工程与材料科学部领导参加了重点项目结题验收会。

会上,专家组听取了项目负责人的工作报告,经过认真讨论,认为项目组圆满完成了项目计划任务书规定的各项任务,一致同意通过项目结题验收。

高In组分InGaAs红外光电探测器在国民经济建设和航空航天领域具有重要应用。本项目主要针对高In组分InGaAs红外探测器结构材料的MOCVD生长、晶格失配缺陷的抑制、红外探测器材料与器件工艺的优化、探测器线列焦平面的研制与集成等方面开展了深入系统的研究。

经过四年的努力,项目取得一系列重要突破,包括:提出两步生长法并引入热退火过程抑制大晶格失配InGaAs材料的制备方法;成功获得大尺寸、高质量InGaAs红外探测器结构材料;成功获得了256×1的延长波长InGaAs线列焦平面探测器。四年中,项目组在国内外学术期刊和学术会议上发表论文50篇,申请发明专利5项,授权发明专利2项。在国内专业会议上作特邀报告1人次,培养博士生13名,硕士1名。

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