近日，微电子所微波器件与集成电路研究室（四室）博士研究生陈高鹏、吴旦昱撰写的两篇有关数字频率合成芯片研究的学术论文被国际最大射频集成电路年度会议——2010年IEEE射频集成电路会议（IEEE 2010 RFIC Symposium）收录，并获邀赴美作报告。此次论文获得收录，也是微电子所首次在RFIC会议上发表文章。

2010年IEEE射频集成电路会议将于5月23至28日在美国加利福尼亚州与国际微波会议（IMS）同期举行。作为国际上最大的射频/微波方面年度会议之一，射频集成电路会议将重点对射频系统、用于移动终端的电路和器件以及封装技术、无线通信系统、宽带接入系统、雷达系统和智能运输系统领域最先进的技术成果等进行讨论。 

微电子所博士研究生陈高鹏、吴旦昱撰写的两篇学术论文A 10GHz 8-bit  Direct  Digital  Synthesizer  Implemented  in  GaAs  HBT  Technology，A  6GHz  Direct  Digital  Synthesizer  MMIC  with  Nonlinear  DAC  and  Wave  Correction  ROM介绍了微电子所2009年设计成功的两款超高速DDS芯片的科研成果。此两款芯片采用了双边沿触发、非线性与波形修正ROM结合等创新技术。双边沿触发结构的累加器大幅提高了以往DDS芯片中累加器的理论最高速度，而非线性与波形修正ROM结合的技术则在几乎不损失精度的情况下提高了DDS的工作频率。