近日，中科院微电子研究所电子设计平台与共性技术研究室（七室）经过近3年的努力，在DFM研究中取得显著进展。由室主任陈岚研究员带领的DFM研究小组目前已完成了65纳米电镀铜生长（ECP）和化学机械研磨（CMP）工艺模型建模的工作，ECP/CMP工艺模型得到中芯国际DFM部门认可并推广到中芯国际Design Service部门运行。　　

图1 可制造性设计工具平台界面

　　该ECP/CMP工艺仿真工具，包括版图处理、ECP/CMP物理模型和结果输出与显示。具备超大规模版图提取能力，能顺利处理大小约为3GB的GDSII版图。在polygon数目约为4千万的2.4GB容量的测试版图中，利用单CPU硬件平台整个芯片平坦性分析约为32分钟，优于目前资料显示的CMP仿真速度。同时利用DFM研究小组自主开发的测试芯片以及中芯国际的测试芯片进行实际流片结果与CMP工具模拟结果比较表明：该CMP仿真器均方根误差小于5纳米，最大误差小于15纳米，相关性在94%以上，达到工业界生产线线使用的精确度标准。　　

图2  CMP工艺模拟仿真 

　　微电子所七室DFM研究方向是在2007、2008年微电子所所创新项目的经费支持下预先开展的相关研究工作，目前已经和国内的几大主流代工厂开展了实质性合作，并在2008年启动的国家科技重大专项中获得经费资助。目前已获进展得到客户高度评价，中芯国际技术研发部门表示将继续在45nm,32nm技术节点和微电子所七室DFM研究小组开展更进一步的合作。　　

图4 中芯国际反馈表