6月27日，中科院物理所方忠研究员和瑞士贝塞尔大学薛飞博士访问中科院合肥物质科学研究院强磁场中心，并分别作了题为“拓扑绝缘体和拓扑半金属”（Topological Insulators and Topological Semimetals）和“半导体纳米线的纳米磁共振成像”（Nano Magnetic Resonance Imaging of Semiconducting Nanowires）的学术报告。

方忠研究员的报告从拓扑绝缘体和拓扑半金属的基本概念出发，细致地介绍了其物理性质和他带领的课题组在拓扑绝缘体和拓扑半金属方面的研究工作。拓扑绝缘体作为一种新的量子态，因其具有丰富奇特的电子特征以及在未来电子器件中具有潜在的应用前景而成为凝聚态物理的一个研究热点。方忠研究员希望能够和强磁场中心科研人员共同合作，设计和寻找新的拓扑绝缘体材料、探索强磁场下的新物性，从而推动此领域的发展。

薛飞博士近几年主要从事纳米磁共振力成像方面的研究工作并且取得了具有开创性的研究成果。他的报告主要阐述了磁共振力显微镜的概念，基本原理以及当前国际研究进展，并对他在磁共振力显微镜研制以及利用磁共振力显微镜在半导体纳米线等方面的研究进行了介绍，同时就更好地提高磁共振力显微镜的空间分辨率等问题与参会人员进行了探讨。

访问期间，方忠研究员和薛飞博士参观了“边建设、边运行”中的稳态强磁场实验装置和部分实验室。

薛飞博士作报告

方忠研究员作报告