7月9日至10日，中国科学院近代物理研究所召开针对下一代重离子加速器的高电荷态离子源技术国际研讨会（Workshop on HCI Sources for Next Generation Accelerators）。来自美国、德国及日本的5位国际离子源专家与近代物理所离子源研究人员，就ECR离子源、激光离子源、EBIS（电子束离子源）以及FAIR装置离子源进行了深入研讨。 

　　通过为期两天的专题报告与讨论，与会专家对近代物理所“十二五”装置HIAF（Heavy Ion Accelerator Facility）的设计与要求有了详细的了解和认识，对强流重离子注入器装置的设计提出了很多建议。 

　　HIAF装置设计目标需要50pμA（粒子微安）脉冲长度为500μs左右的U³⁴⁺离子束，目前国际上还没有具备这种性能的高电荷态离子源装置。世界上在建与拟建的重离子加速器装置也迫切需要强流的高电荷态重离子注入器，因此离子源技术是关键，具有非常大的挑战性。 

　　高电荷态离子源技术国际研讨会邀请的专家中有4位曾获得国际离子源最高奖“Brightness Award”，在国际离子源与重离子加速器领域具有较高的影响。 

会议现场