4月16日，02专项项目课题“45nm相变存储器工程化关键技术与应用”进展情况汇报会在依托单位中国科学院上海微系统与信息技术研究所召开。 

　　02专项责任专家北京大学教授张兴，复旦大学教授张卫，中科院上海高等研究院院长封松林研究员，上海微系统所所长王曦院士，中芯国际副总裁吴汉明、技术总监詹奕鹏，上海微系统所项目主管任虹、研究员宋志棠、陈邦明、刘波、陈后鹏、吴良才等共计50余人出席了此次会议。会议由宋志棠主持。 

　　宋志棠首先代表项目组介绍了项目的总体进展情况：02专项项目课题“45nm相变存储器工程化关键技术与应用”（2009ZX02023-003）经过全体成员的不懈努力，顺利完成了涵盖材料、设计、结构、工艺、测试各方面的整体专利布局共300余项，其中包括16项美国专利；搭建了与45nm工艺相兼容的包括PVD、CMP、CVD和ETCH在内12英寸PCRAM专用工艺平台并投入使用；目前在研十一项产品正在或即将流片，部分产品已经送样给客户试用。 

　　王曦院士通报了02专项的2015年度项目指南、集成电路产业的国务院新版扶持政策、02专项存储器联盟的大概情况，表示国家对集成电路产业、对存储器的产业化非常重视，尽管存储器的技术难度很大，希望项目组成员吸取专家提出的建议，克服困难早日实现项目课题的验收。

　　张兴则表示此次代表02专项总体组了解PCRAM项目课题的进展情况，要针对项目考核目标进行汇报，结题时要重点体现出相变存储器的技术潜力和今后的发展趋势。

　　随后与会专家听取了各个方向针对具体情况的详细报告：刘波汇报了课题主要指标的完成情况、所取得的主要成果水平与国外大公司的比对、PCRAM产业化开发重点产品的计划及进展情况、以及课题组目前的主要难题等；陈后鹏汇报了8英寸和12英寸工艺上PCRAM产品的设计进展情况，从客户的技术要求、芯片设计创新点、电路验证结果等方面详细介绍了进展情况和存在的问题，目前正在进行流片的PCRAM芯片产品合计有11种，涵盖至少4家公司的应用目标明确的嵌入式和独立式产品；陈邦明汇报了12英寸40nm工艺上PCRAM产品的设计进展情况，主要介绍了改善和提升芯片良率的电路设计新思路、电路设计流片验证结果等；詹奕鹏汇报了8英寸和12英寸PCRAM产品的单项工艺开发、器件结构调整优化、工艺开发规划布局、集成工艺开发所面临的主要瓶颈难题、以及取得的主要突破性成果等；陈一峰博士汇报了PCRAM芯片测试进展，介绍了测试平台的搭建及相关测试软件开发和流程建立，重点介绍了8英寸和12英寸平台上研制的PCRAM芯片测试结果。

　　在听取了各个方向的工作汇报后，与会的专家就项目的最终目标进行了热烈的讨论，并提出了具有针对性的宝贵建议和指导。吴汉明表示，PCRAM项目在SMIC会得到不断的支持和持续研发，鼓励团队成员特别是年轻的成员要鼓足干劲、没有任何后顾之忧地把PCRAM产业化推向成功。张兴表示，认可课题组目前所付出的努力和取得的进展，课题技术指标完成应该不存在任何问题，目前已经开始流片的至少11款产品预计会在6月份之后陆续出货、送样，用户试用成功后，会有一定订单；课题的任务和预算调整报告要及时向专项办报送。宋志棠表示，感谢课题责任专家对延期的包容和理解，感谢各位专家的具有针对性的宝贵建议和指导，课题组全体成员一定会再接再厉把任务完成好！ 

会议现场