会议由论坛联合主席、上海微系统所长王曦院士主持。上海微系统所邹世昌院士、中国半导体行业协会执行副理事长徐小田、清华大学微电子学研究所所长魏少军教授出席会议。来自半导体行业领先企业、高校、研究院所的60余位高管和专家参加了本次会议，与会企业、研究院所涵盖了衬底、设计、制造、IP等全部领域，与会嘉宾齐聚一堂，共同探讨如何利用SOI技术的优势来应对集成电路所面临的挑战，以及SOI技术在中国的市场机会。

　　SOI产业联盟执行理事长Horacio Mendez致开幕词。美国商业战略公司（IBS Inc）的主席兼首席执行官Handel Jones介绍了移动系统芯片的巨大市场需求及SOI技术在这一领域面临的机会。随后，意法半导体公司（STMicroelectronics）首席工程师David Jacquet、武汉新芯集成电路制造有限公司首席执行官杨士宁、中科院微电子所刘忠立研究员、IBM首席技术专家Rama Divakaruni分别从FDSOI的产品架构、企业制造、应用前景以及面向7nm技术节点所面临的机遇及挑战等方面分别做了专题报告。

　　SOI衬底材料作为“全耗尽”技术时代的关键要素，在本次会议上也受到特别关注。SunEdison公司高级产品市场总监Bruce Kellerman、Soitec公司全球商业战略开发高级副总裁Steve Longoria、SEH公司先进晶圆技术和发展部常务副总经理Nobuhiko Noto分别介绍了射频应用、FDSOI技术、FinFET技术对SOI衬底材料的需求及前景展望。

　　最后，会议举行圆桌论坛，嘉宾就“下一代系统芯片的技术选择”开展了热烈讨论，大家认为摩尔定律的“黄金岁月”即将结束，如果可以充分利用SOI的技术优势并降低应用门槛，SOI技术的“黄金岁月”即将到来。

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