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“高通量功能材料芯片制备与高通量、多参量表征技术”专题
讨论会召开
  文章来源:合肥物质科学研究院 发布时间:2013-04-25 【字号: 小  中  大   

会议现场

4月20日上午,合肥物质科学技术中心组织召开了“高通量功能材料芯片制备与高通量、多参量表征技术”专题讨论会,来自中国科学技术大学、中科院合肥物质科学研究院的近20位功能材料领域的专家参加了讨论会。会议由合肥物质科学技术中心副主任陆亚林主持。

陆亚林教授首先简要介绍了国家新材料重大专项、中国工程院正在酝酿的中国版材料基因组计划并业已启动的材料基因组的战略咨询重大项目,而高通量功能材料的制备与表征是材料基因组计划的实验基础和重要组成部分。中国科学院在合肥地区有微尺度和同步辐射等国家级大型研究平台,有强磁场实验装置、同步辐射装置、超导托卡马克、大气环境综合实验场等大科学装置群,有一群在国内外有影响力的科研队伍,在物质和材料科学方面有很好的研究基础。而依托中国科大和合肥研究院成立的合肥物质科学技术中心,更为双方开展深度合作交流、协同创新搭建了平台。此次针对高通量功能材料制备与表征开展的讨论会,目的就是酝酿如何协同中国科学院在合肥地区的研究资源,并争取融入材料基因组计划,因而是双方在物质科学研究方面面临的一个重要机遇。

陈仙辉教授、王晓平教授、张振宇教授、孙玉平研究员、江海河研究员、戴松元研究员等与会专家纷纷围绕自己的研究方向发表了意见,并就合肥地区具有优势的功能材料方向、应用前景、潜在高通量制备和表征等提出了意见和建议。讨论会制定了下一步的工作计划。

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